Негативные фоторезисты ma-N от Micro Resist Technology (Германия) отличаются высокой устойчивостью к сухому и жидкостному травлению и легко удаляются.

Серии ma-N 400 и ma-N 1400 подходят для однослойной обратной литографии и физического осаждения из паровой фазы.

Подробнее:

Негативные фоторезисты ma-N cерии 400, 1400 (анг.)

Серия ma-N 2400 отличается высокой разрешающей способностью и подходит для электронно-лучевой литографии.

Негативные фоторезисты EpoCore и EpoClad

Негативные фоторезисты mr-EBL 6000, mr-UVL 6000 и mr-DWL от Micro Resist Technology (Германия).

mr-EBL 6000 обладает высокой устойчивостью к жидкостному и сухому травлению и высокой разрешающей способностью, используется для электронно-лучевой литографии.

mr-UVL 6000 обладает высокой устойчивостью к сухому и жидкостному травлению и подходит для тонкослойной УФ литографии.

mr-DWL обладает высокой чувствительностью >400 нм (DWL @ 405 nm) и подходит для мультифотонной литографии (Direct Writing Laser).

Резисты AZ для Image Reversal/Lift-off от AZ-Electronic Materials (Германия) для преобразования изображений и обратной фотолитографии.

Серия 5200 — резисты на основе новолаков (новолачная фенолформальдегидная смола) подходят для преобразования изображений:

Резист TI 35E специально разработан для технологии преобразования изображения, для жидкостной химической обработки:

Резист TI 35 ES подходит для технологии преобразования изображения, для сухого травления.

Резист TI xLift подходит для последовательной обратной фотолитографии толстых и очень толстых осажденных слоев:

Резисты nLOF серии 2000 подходят для обратной фотолитографии, для пленок толщиной 2-7 мкм, для работы с проявителями, содержащими тетраметиламммония гидроксид (TMAH):

Полимеры mr-I, mr-NIL и mr-UVCur от Micro Resist Technology (Германия) для термической и УФ наноимпринтной литографии.

Материалы для термической наноимпринтной литографии:

mr-I 7000E и mr-I 8000E — термопластики с различной температурой стеклования

mr-I 7000R и mr-I 8000R — термопластики с различной температурой стеклования и улучшенными антиадгезионными свойствами

mr-NIL 6000 — отвердевающий полимер для комбинированного термического и УФ наноимпринтинга

mr-I 9000E — термореактивный пластик для низкотемпературного импринтинга

mr-I PMMA — для фундаментальных наноимпринтинговых исследований

mr-I T85 — термопластик для биочипов

mr-I 9000M — термореактивный материал для микро- и нанопроизводства с высокой термической стабильностью

Материалы для УФ наноимпринтной литографии:

mr-UVCur06 and mr-UVCur21 — жидкие полимерные системы, отвердевающие от УФ излучения для нанесения покрытий методом центрифугирования

mr-UVCur21SF— материалы для легирования методом распределения капель расплава

Усилители адгезии

Гибридные полимеры ORMOCER®s от Micro Resist Technology (Германия) — это органическо-неорганические гибридные материалы, содержащие 2 взаимосвязанные структуры: неорганическую (Si-O-Si) и органическую.

OrmoComp^® и OrmoStamp^® — это быстро отвердевающие от УФ излучения материалы для литографии, толщиной 20 и 10 мкм, соответственно.

OrmoCore и OrmoClad  — материалы с регулируемым коэффициентом преломления, которые отличаются низкими оптическими потерями при передаче данных с помощью длины волны, толщиной 20 и 16 мкм, соответственно.

OrmoClear^® отличается высокой светопроницаемостью в видимом и ближайшем УФ диапазоне, а также высокой термической и механической прочностью, и используется для простых микрооптических приложений.

OrmoClear^®10 & OrmoClear^®30 — материалы с высокой толщиной слоя для микрооптики, 31 и 75 мкм, соответственно.

Растворители PG и EBR PG от MicroChem Corporation (США). Для удаления резистов SU-8, PMGI, LOR & PMMA используется растворитель PG. Для очистки краев и оборудования — растворитель EBR PG.

Подробнее:

Растворитель EBR PG (анг.)

Растворитель Remover PG (анг.)

Растворитель XP Remover K (анг.)

Растворители от Micro Resist Technology (Германия).

Подробнее: 

Растворители mr-Rem 400, 500, 660 (анг.)

Растворители mr-Rem 400, 500, 660, 700 (2016г, анг.)

Растворители от The Dow Chemical Company (Rohm and Haas Company, США):

Подробнее:

Каталог материалов DOW Electronic Materials (Rohm & Haas), анг.

Растворитель MICROPOSIT EC Solvent (анг.)

Растворители от AZ-Electronic Materials (Германия):

Желтая пленка для литографии Lithoprotect® в рулонах, обычная и самоклеящаяся.

Пленка предназначена для использования в помещении для работы с фоторезистами (в литографических процессах). Наклеивается на различные лампы, окна и другие источники света для того, чтобы блокировать проникновение света ненужной длины волны в помещение. Используется для защиты производственного процесса.

Неклеящуюся пленку наклеивают с помощью специального скотча по периметру.

Самоклеющуюся пленку наклеивают непосредственно на стеклянные или пластиковые поверхности источников света.

Желтая пленка эффективно блокирует все излучение с длиной волны < 500 нм и обеспечивает высокую проходимость света с длиной волны > 540 нм. Такая защита помещения прекрасно подходит для работы со всеми наиболее часто используемыми фоторезистами.

Состав пленки: окрашенная в желтый цвет триацетат целлюлоза.

УФ-защитная желтая пленка

УФ-защитная желтая пленка самоклеящаяся

Аксессуары
	Скотч монтажный YST520E212	10,2 мм	50 м
	Жидкость монтажная DX MF 301	Объем: 800 мл
	Жидкость монтажная DX MF 301	Объем: 5 л
	Скребок резиновый DXRA 100

Брошюра. Защитная жёлтая плёнка для литографии (анг.)

Видео-инструкция по наклеиванию желтой пленки >>

Отрезы пленки в наличии на складе в России смотрите ниже:

Антибликовые покрытия от AZ-Electronic Materials (Германия) используются в процессе литографии для улучшения профиля фоторезиста и уменьшения изменений ширины линии, вызванных рассеиванием и отражением света.

Barli — это покрытие типа BARC, которое наносится на пластину перед резистом.

Aquatar — это покрытие типа TARC, которое наносится на резист и может служить защитой от загрязнений, дегазации и дефектов.

Травитель для хрома Chrome Etchant 18 от The Dow Chemical Company (Rohm and Haas Company, США) предназначен для травления хрома, хром-никелевого сплава, молибденовых и вольфрамовых пленок при изготовлении фотошаблонов (кварцевая пластина с прозрачными и непрозрачными областями) для фотолитографических процессов.

Смолы CYCLOTENE (Cyclotene)

Разбавители от MicroChem Corporation (США).

Разбавители от Micro Resist Technology (Германия).

Проявители от MicroChem Corporation (США).

Проявители для резистов PMMA и сополимеров от MicroChem Corporation (США):

Подробнее:

Проявители для PMMA and Copolimer (анг.)

Проявители от Micro Resist Technology (Германия).

Проявители от The Dow Chemical Company (Rohm and Haas Company, США):

Резисты LOL 2000 Lift Off Layer от The Dow Chemical Company (Rohm and Haas Company, США) разработаны для обратной фотолитографии.

Фоторезисты MicroSpray от MicroChem Corporation (США) представляют собой резисты в аэрозольной упаковке. MicroSpray идеально подходят для нанесения на поверхности неправильной формы, боковые стенки и края, неплоские и перфорированные поверхности.

Негативные фоторезисты AR-N от Allresist (Германия).

AR-N 2210, 2220, 2230 для нанесения методом  распыления, для различных применений с высоким качеством разрешения. Экспонирование — широкополосный УФ, i-линия, g-линия. Хорошая адгезия, гладкая поверхность. Сочетание новолака и нафтохинона диазида. Более безопасный растворитель PGMEA, а также метилэтилкетон.

Подробнее: 

Позитивные / Негативные фоторезисты AR-P 1200 / AR-N 2200 (анг.)

Негативные резисты серий AR-N 4200 и 4300 — высокочувствительный негативные резисты для производства интегральных микросхем. Высокое разрешение, устойчивы к плазменному травлению, термостабильны, на основе безопасного растворителя PGMEA.

Подробнее:

Негативные фоторезисты AR-N 4200 (анг.)

Негативные фоторезисты AR-N 4300 (анг.)

Негативные резисты серий AR-N 4400 (CAR44) — толстопленочные негативные резисты (толщина плёнки от 5 до 100 микрон) для гальванических, микросистемных технологий. Экспонирование: i-, g-line, электронный луч, рентген, синхротрон, широкополосное УФ. Химически улучшенные, гальванически стабильные, с очень высокой адгезией, высокочувствительные, легкоудаляемые.

Позитивные фоторезисты AR-P от Allresist (Германия).

AR-P 1210, 1220, 1230 для нанесения методом  распыления, для различных применений с высоким качеством разрешения. Экспонирование — широкополосный УФ, i-линия, g-линия. Хорошая адгезия, гладкая поверхность. Сочетание новолака и нафтохинона диазида. Безопасный растворитель PGMEA, а также метилэтилкетон.

Подробнее: 

Позитивные / Негативные фоторезисты AR-P 1200 / AR-N 2200 (анг.)

Позитивные резисты AR-P 3110, 3120, 3170 с усиленной адгезией и высоким разрешением, для производства маски и мелких делений шкалы. Экспонирование — широкополосный УФ, i-линия, g-линия. Высокая фоточувствительность, высокое разрешение. Сильная адгезия к стеклянным/хромированным поверхностям в процессах влажного химического травления, устойчивы к травлению плазмой. Сочетание новолака и нафтохинона диазида. На основе безопасного растворителя PGMEA.

Подробнее: 

Позитивные фоторезисты AR-P 3100 (анг.)

Позитивные резисты серии AR-P 3200 — жидкие резисты с высокой вязкостью для получения толстых пленок. Эти резисты хорошо подходят для покрытия краев топографий на сложных поверхностях пластин (дают хорошее выравнивание). Позволяют генерировать рисунок резиста с вертикальным профилем. Толстослойные резисты AR-P 3200 обеспечивают высокую степень разрешения рисунка.

Позитивные резисты серии AR-P 3500 / 3500 T — жидкие резисты для широкого диапазона процессов, предназначены для производства интегральных микросхем. Высокая фоточувствительность, высокое разрешение, очень хорошие адгезивные свойства к металлическим и оксидным поверхностям. Экспонирование — широкополосный УФ, i-линия, g-линия. Устойчивы к травлению плазмой, стабильность при температуре до 120°С. Сочетание новолака и нафтохинона диазида. На основе безопасного растворителя PGMEA.

Подробнее: 

Позитивные фоторезисты AR-P 3500 (анг.)

Позитивные резисты серии AR-P 3700 / 3800 — жидкие позитивные резисты высочайшего разрешения, специально разработанные для производства интегрированных схем высокого разрешения со структурами до микронного диапазона. Высокая чувствительность, высокая контрастность, хорошие адгезивные свойства даже к поверхностям со структурированной поверхностью подложки. Окрашенный резист AR-P 3840 будет подавлять в спектральном диапазоне 340 — 450 нм эффект стоячих волн и рассеянного излучения на сильно отражающих поверхностях. Экспонирование — широкополосный УФ, i-линия, g-линия. Устойчивы к травлению плазмой, стабильность при температуре до 120°С. Сочетание новолака и нафтохинона диазида. На основе безопасного растворителя PGMEA.

Позитивные толсто-пленочные резисты от AZ-Electronic Materials (Германия) подходят для изготовления шаблонов для металлизации, травления и крупноразмерной литографии.

Серия 4500 — это позитивные резисты с пониженной концентрацией фото активных соединений:

Серия 9200 — это позитивные фоторезисты, отличающиеся меньшим оптическим поглощением, чем резисты серии 4500:

Серия 40XT — это химически-усиленные позитивные толсто-пленочные резисты, которые подходят для участия и в жидкостных, и в сухих процессах:

Позитивные фоторезисты MEGAPOSIT SPR220 от The Dow Chemical Company (Rohm and Haas Company, США) разработаны для микролитографии, характеризуются широкополосным поглощением, оптимизированы для i-линии УФ-излучения.

Позитивные фоторезисты серии MEGAPOSIT SPR660  — это улучшенные i-line фоторезисты, работают на различных подложках.

Позитивные фоторезисты серии MEGAPOSIT SPR955-CM предназначены для экспонирования i-линией, g-линией и интегральным УФ-светом, обеспечивают высокое разрешение, имеют высокую светочувствительность и высокую адгезию к кремнию, окиси кремния и нитриду титана.

Негативные фоторезисты от AZ-Electronic Materials (Германия).

Позитивные фоторезисты MEGAPOSIT SPR700

Позитивные фоторезисты MICROPOSIT S1800 G2

Позитивные фоторезисты ma-P

Резисты nLOF серии 2000 подходят для обратной фотолитографии, для пленок толщиной 2-7 мкм, для работы с проявителями, содержащими тетраметиламммония гидроксид (TMAH):

Серия nXT — это химически-усиленные негативные толсто-пленочные резисты для нанесения покрытий.

Химически усиленные негативные фоторезисты KMPR от MicroChem Corporation (США) — представляют собой смесь органических реагентов на основе эпоксидной смолы. Используются в литографических процессах; для процессов, использующих глубокое травление (DRIE); для производства МЭМС; для нанесения электролитических покрытий.

Негативные фоторезисты, нанесенные на подложку, под действием излучения определенной длины волны, действующего через световой шаблон, образуют защищенные участки рельефа. После термообработки — задубливания — в результате реакции фотополимеризации освещенные при экспонировании участки не растворяются в проявителе и остаются на поверхности подложки. При этом рельеф представляет собой негативное изображение элементов фотошаблона.

Отличительные особенности резистов серии KMPR 1000:

• Высокое разрешение, высокая контрастность
• Высокая химическая и температурная устойчивость
• Отличная адгезия к металлам
• Экспонирование УФ (350- 400 нм) излучением, рекомендуется использование i-линии (365 нм)
• Легко отделяются от подложки
• Толщина пленки от 4 до 120 мкм в один слой
• Доступны различные вязкости резистов
• Совместимы с водным проявителем (TMAH & KOH)
• Отличная устойчивость к сухому травлению
• Вертикальные боковые стенки элементов рисунка

Негативные фоторезисты SU-8 от MicroChem Corporation (США) на основе эпоксидной смолы устойчивы к растворителям, кислотам и щелочам и имеют отличную тепловую и механическую прочность. Данные резисты разработаны для микрообработки и других применений в микроэлектронике, где толщина слоя, химическая и термическая стабильность изображения являются номинальными. SU-8 широко используются производителями микроэлектромеханических систем в течение многих лет.

 Серия 2000:

Толщина: 1 — 100 мкм
Соотношение сторон: > 10:1
Быстрое высыхание

Резисты на основе полидиметилглутаримида PMGI и LOR (lift-off) от MicroChem Corporation (США) подходят для применений, требующих высокого разрешения изображения (магниторезистивные головки, радиотехнические устройства, оптоэлектроника, интегральные микросхемы). Резисты LOR предназначены специально для обратной литографии для формирования металлизированного слоя.

LOR:

PMGI:

Сополимеры PMMA от MicroChem Corporation (США) — это сополимеры PMMA с различным содержанием метилакриловой кислоты (MAA). Сополимеры имеют меньшую молекулярную массу, чем стандартные резисты PMMA, благодаря чему растворение в растворителях проявителей происходит быстрее.